Samsung выпустила «самую быструю» оперативную память для смартфонов и ноутбуков
Samsung «разгоняет» память
Южнокорейская Samsung Electronics представила улучшенные микросхемы оперативной памяти стандарта Low Power Double Data Rate 5X (LPDDR5X). В компании утверждают, что ее последняя энергоэффективная DRAM является «самой быстрой в отрасли».
Согласно информации, опубликованной на официальном сайте Samsung, пропускная способность новейших чипов достигает 8,5 Гбит/сек на контакт.
Предыдущий рекорд пропускной способности чипов LPDDR5X на уровне 7,5 Гбит/сек Samsung установила в марте 2022 г.
Такого прогресса удалось достигнуть за счет «оптимизации высокоскоростной сигнальной среды между процессором и памятью» на мобильной платформе Snapdragon компании Qualcomm. В Samsung отмечают, что сотрудничество с последней позволило сократить время вывода на рынок чипов LPDDR5X более чем на один год. Как отмечает Sammobile, микросхемы, могут появиться в флагманских смартфонах и планшетных компьютеров модельного ряда 2023 г. в паре с процессором Snapdragon 8 Gen 2.
Изменение пропускной способности памяти LPDDR Samsung со сменой поколений
Помимо мобильной электроники, новые чипы LPDDR5X могут найти применение в компактных ноутбуках, в высокопроизводительных вычислительных (HPC) системах, серверах и автомобильной промышленности.
Как отмечают в Samsung, отличающаяся пониженным уровнем энергопотребления память стандарта LPDDR все чаще находит применение в цифровых решениях для современных транспортных средств. Свойственные ей высокие энергоэффективность и производительность востребованы в системах автономного вождения, которые в процессе работы собирают колоссальный объем информации с разного рода датчиков.
LPDDR5X против предшественника
Samsung впервые представила микросхемы памяти стандарта LPDDR5X в ноябре 2021 г.
Южнокорейский гигант тогда продемонстрировал 16-гигабитные чипы, производить которые планировалось по 14-нанометровому техпроцессу с использованием технологии фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV).
Российский разработчик ВКС выпустил более 10 обновлений за лето Импортозамещение ВКС
Начало серийного производства было намечено на конец 2021 г.
Переход на более совершенный техпроцесс позволил добиться снижения уровня энергопотребления памяти LPDDR5X на 20% по сравнению с предшественником в лице LPDDR5. Пропускная способность также выросла – до 1,3 раза.
Массовое производство памяти LPDDR5 стартовало не позднее июля 2019 г. Так, о запуске конвейера по выпуску 12-гигабитных чипов Samsung сообщила 19 июля 2019 г.
Затем, 7 февраля 2020 г., американская компания Micron объявила о начале поставки клиентам «первой в мире» памяти LPDDR5 в упаковках объемом 6 ГБ, 8 ГБ и 12 ГБ.
Международный салон изобретателей: станет ли Новосибирск новым центром притяжения инноваторов? Инновации для промышленности
25 февраля 2020 г. уже Samsung сообщила о готовности к массовому производству модулей LPDDR5 емкостью 16 ГБ.
Производители смартфонов взялись интегрировать память LPDDR5 лишь в 2021 г. Причем воспользоваться преимуществом быстрого ОЗУ могли в основном обладатели флагманских моделей, например, Samsung Galaxy S21 Ultra.